各向异性磁阻、巨磁阻传感器的认识

2015-09-28 1171

各向异性磁阻(Anisotropic Magneto Resistance ,AMR)传感器基于各向异性磁电阻效应。磁性薄膜在平行于膜面的外磁场作用下,到达饱和磁化时,薄膜的电阻率将随外磁场方向和电流方向变化而变化,这种效应就是各向异性磁电阻效应。AMR传感器是用于测量角度和转速的非接触式传感器,它应用氧化硅晶体作为载体,传感器元件的电阻随着外加磁场方向的变化而改动,应用测量所得的电阻变化,可以求得角度变化或许依据电阻变化规律可以求得角速度。这种传感器的量程一般为180°,经过特殊设计,这种传感器的量程可以满足方向盘转角测量的要求。目前BOSCH的方向盘转角传感器LWS3系列就是AMR传感器。
巨磁阻(Giant Magneto Resistance,GMR)传感器应用的是磁性多层膜的巨磁阻效应。这种传感器由一系列薄层(磁性多层膜)叠加而成,这些层只有纳米级厚度,它关于最为微弱的磁场也会有反响。这意味着这种传感器可以远离被测量物体。这种传感器可以被用来测量转速或许到达360°的转角,经过特殊设计,这种传感器的量程可以满足方向盘转角测量的要求。目前BOSCH的方向盘转角传感器LWS5系列就是GMR传感器。
以LWS3为例介绍一下基于AMR效应的方向盘转角传感器的设计特点以及它的构造图。LWS5的设计与LWS3相似。

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